Numărul de produs al producătorului:
TK58E06N1,S1X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK58E06N1,S1X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 58A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12891154
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK58E06N1,S1X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
58A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3400 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
TK58E06
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK58E06N1,S1X(S
TK58E06N1S1X
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDP047N08
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
4680
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDP047N08-DG
PREȚ UNIC
1.45
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPH4R50ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
TPH8R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
2SK2989(TPE6,F,M)
MOSFET N-CH TO92MOD
