Numărul de produs al producătorului:
TK49N65W,S1F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK49N65W,S1F-DG
Descriere:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 49.2A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
56 Piese Noi Originale În Stoc
12920911
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK49N65W,S1F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
49.2A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 24.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
400W (Tc)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
TK49N65
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TK49N65WS1F
TK49N65W,S1F(S
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK3R2A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK4R1A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK7R4A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
