Numărul de produs al producătorului:
TK3R3A06PL,S4X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK3R3A06PL,S4X-DG
Descriere:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
12920896
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK3R3A06PL,S4X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5000 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
42W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK3R3A06
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK3R3A06PL,S4X(S
264-TK3R3A06PLS4X
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK16J60W5,S1VQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK17A65W5,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH1500CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
