Numărul de produs al producătorului:
TK370A60F,S4X(S
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK370A60F,S4X(S-DG
Descriere:
MOSFET N-CH
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 15A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
12965082
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
PeUC
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK370A60F,S4X(S Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
U-MOSIX
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
370mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.04mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
45W (Tc)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TK370A60F,S4X(S-DG
264-TK370A60F,S4X(S
264-TK370A60FS4X(S
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJA3416AE_R1_00001
SOT-23, MOSFET
BSS123_R1_00001
SOT-23, MOSFET
PJA3430_R1_00001
SOT-23, MOSFET
