Numărul de produs al producătorului:
TK34E10N1,S1X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK34E10N1,S1X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
5 Piese Noi Originale În Stoc
12889476
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK34E10N1,S1X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
103W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
TK34E10
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK34E10N1,S1X(S
TK34E10N1S1X
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP100N08N3GXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
587
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP100N08N3GXKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.00
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK20V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
TK16G60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
TK8A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
