Numărul de produs al producătorului:
TK33S10N1L,LXHQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK33S10N1L,LXHQ-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
3908 Piese Noi Originale În Stoc
12943587
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK33S10N1L,LXHQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
33A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2250 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK+
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
TK33S10
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK33S10N1L,LXHQ(O
264-TK33S10N1LLXHQCT
264-TK33S10N1LLXHQDKR
264-TK33S10N1LLXHQTR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK160F10N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
STD18N65M2-EP
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
