Numărul de produs al producătorului:
TK31E60W,S1VX
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK31E60W,S1VX-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
48 Piese Noi Originale În Stoc
12890743
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK31E60W,S1VX Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
230W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
TK31E60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK31E60W,S1VX(S
TK31E60WS1VX
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTP34N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
152
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP34N65X2-DG
PREȚ UNIC
3.26
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK14A45DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 450V 13.5A TO220SIS
TPH3R704PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
TK5A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 5A TO220SIS