TK28N65W5,S1F
Numărul de produs al producătorului:

TK28N65W5,S1F

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

TK28N65W5,S1F-DG

Descriere:

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 27.6A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247

Inventar:

30 Piese Noi Originale În Stoc
12920874
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

TK28N65W5,S1F Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
27.6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.6mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
230W (Tc)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
TK28N65

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
264-TK28N65W5S1F
TK28N65W5,S1F(S
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

TK1K7A60F,S4X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

TK5R3A06PL,S4X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

TK22A65X,S5X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

TK3R2E06PL,S1X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR