Numărul de produs al producătorului:
TK16J60W,S1VQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK16J60W,S1VQ-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventar:
12889623
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK16J60W,S1VQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
130W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P(N)
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
TK16J60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK16J60W,S1VQ(O
TK16J60WS1VQ
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK31J60W,S1VQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
25
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK31J60W,S1VQ-DG
PREȚ UNIC
4.32
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SJ438,MDKQ(M
MOSFET P-CH TO220NIS
TK35A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
2SJ360(F)
MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
