Numărul de produs al producătorului:
TK14V65W,LQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK14V65W,LQ-DG
Descriere:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 139W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventar:
2394 Piese Noi Originale În Stoc
12989865
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK14V65W,LQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
139W (Tc)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
4-DFN-EP (8x8)
Pachet / Carcasă
4-VSFN Exposed Pad
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TK14V65W,LQTR-DG
264-TK14V65W,LQTR
264-TK14V65WLQTR
264-TK14V65W,LQDKR
264-TK14V65WLQTR-DG
264-TK14V65W,LQCT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
UJ4SC075009B7S
750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
BSC005N03LS5ATMA1
TRENCH <= 40V
PMN25ENEAH
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI