Numărul de produs al producătorului:
TK14C65W5,S1Q
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK14C65W5,S1Q-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12891027
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK14C65W5,S1Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 690µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
130W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
TK14C65
Informații suplimentare
Alte nume
TK14C65W5,S1Q-DG
TK14C65W5,S1Q(S2
TK14C65W5,S1Q(S
TK14C65W5S1Q
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STI21N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STI21N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.92
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK14E65W5,S1X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
TPCA8010-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
TK8A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
