Numărul de produs al producătorului:
TK14A65W,S5X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK14A65W,S5X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
19 Piese Noi Originale În Stoc
12890663
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK14A65W,S5X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
40W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK14A65
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK14A65W,S5X-DG
TK14A65WS5X
TK14A65W,S5X(M
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCPF260N60E
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
190
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCPF260N60E-DG
PREȚ UNIC
1.76
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM3J120TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
SSM3J132TU,LF
MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
TPH2R506PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
