Numărul de produs al producătorului:
TK11A45D(STA4,Q,M)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK11A45D(STA4,Q,M)-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 450V 11A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 450 V 11A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
46 Piese Noi Originale În Stoc
12890687
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK11A45D(STA4,Q,M) Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
π-MOSVII
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
450 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1050 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
40W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK11A45
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK11A45DSTA4QM
TK11A45D(STA4QM)
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
R5009ANX
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
R5009ANX-DG
PREȚ UNIC
1.23
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPCA8010-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
SSM6G18NU,LF
MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
TK4A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS
