Numărul de produs al producătorului:
TK10J80E,S1E
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK10J80E,S1E-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 10A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventar:
25 Piese Noi Originale În Stoc
12889322
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK10J80E,S1E Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
π-MOSVIII
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P(N)
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
TK10J80
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK10J80E,S1E(S
TK10J80ES1E
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK290A65Y,S4X
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
TK100E10N1,S1X
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
