Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TK10A60W,S4X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK10A60W,S4X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
RFQ Online
12890420
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK10A60W,S4X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK10A60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
TK10A60W
Informații suplimentare
Alte nume
TK10A60WS4X
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
CDM22011-600LRFP SL
PRODUCĂTOR
Central Semiconductor Corp
CANTITATE DISPONIBILĂ
578
DiGi NUMĂR DE PARTE
CDM22011-600LRFP SL-DG
PREȚ UNIC
1.14
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STF18N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
3720
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF18N65M2-DG
PREȚ UNIC
1.04
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STF11NM80
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
966
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF11NM80-DG
PREȚ UNIC
2.95
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STF16N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1639
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF16N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.36
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM3J353F,LF
MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
TPC6110(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS-6
TPHR6503PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
TK16A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 16A TO220SIS