Numărul de produs al producătorului:
TK100E08N1,S1X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK100E08N1,S1X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
57 Piese Noi Originale În Stoc
12889125
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
iYoQ
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK100E08N1,S1X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9000 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
255W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
TK100E08
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SK2993(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM
SSM3K72CFS,LF
MOSFET N-CH 60V 170MA SSM
TK4P55DA(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK
