Numărul de produs al producătorului:
TK065U65Z,RQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK065U65Z,RQ-DG
Descriere:
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 38A (Ta) 270W (Tc) Surface Mount TOLL
Inventar:
5868 Piese Noi Originale În Stoc
12989670
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK065U65Z,RQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSVI
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
38A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.69mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3650 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
270W (Tc)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TOLL
Pachet / Carcasă
8-PowerSFN
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TK065U65ZRQCT
264-TK065U65ZRQTR
TK065U65Z,RQ(S
264-TK065U65ZRQDKR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTBGS001N06C
POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342
IPW65R110CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
NVMFS5C420NLT1G
POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
