Numărul de produs al producătorului:
TBC847B,LM
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TBC847B,LM-DG
Descriere:
TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 320 mW Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
114846 Piese Noi Originale În Stoc
12889270
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TBC847B,LM Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN
Curent - Colector (Ic) (Max)
150 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 100mA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
30nA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Putere - Max
320 mW
Frecvență - Tranziție
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
TBC847
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TBC847BLMTR
TBC847BLMCT
TBC847B,LM(T
TBC847BLMDKR
TBC847B,LM(B
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SC4793,HFEF(J
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
MPS2907A-BP
TRANS PNP 60V 0.6A TO92
2SD2257,Q(J
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
