Numărul de produs al producătorului:
SSM6N56FE,LM
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM6N56FE,LM-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 800mA 150mW Surface Mount ES6
Inventar:
81927 Piese Noi Originale În Stoc
12889884
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM6N56FE,LM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
800mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
55pF @ 10V
Putere - Max
150mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
ES6
Numărul de bază al produsului
SSM6N56
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SSM6N56FELMCT
SSM6N56FELMTR
SSM6N56FELMDKR
SSM6N56FE,LM(T
SSM6N56FE,LM(B
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM6N36FE,LM
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
SSM6N57NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
SSM6N61NU,LF
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6UDFNB
