Numărul de produs al producătorului:
SSM6N16FUTE85LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM6N16FUTE85LF-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 100mA 200mW Surface Mount US6
Inventar:
3590 Piese Noi Originale În Stoc
12890988
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM6N16FUTE85LF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9.3pF @ 3V
Putere - Max
200mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
US6
Numărul de bază al produsului
SSM6N16
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SSM6N16FU(TE85L,F)
SSM6N16FUTE85LFTR
SSM6N16FUTE85LFDKR
SSM6N16FUTE85LFCT
SSM6L09FU(TE85LF)
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM6N48FU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
SSM6P41FE(TE85L,F)
MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
TPC8212-H(TE12LQ,M
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP