Numărul de produs al producătorului:
SSM6K517NU,LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM6K517NU,LF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventar:
6804 Piese Noi Originale În Stoc
12945383
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM6K517NU,LF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+12V, -8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.25W (Ta)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-UDFNB (2x2)
Pachet / Carcasă
6-WDFN Exposed Pad
Numărul de bază al produsului
SSM6K517
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-SSM6K517NULFDKR
264-SSM6K517NULFTR
264-SSM6K517NULFCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STFW24NM60N
MOSFET N-CH 600V TO-3PH
STF19NF20
MOSFET N-CH 200V 15A TO220FP
STH315N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
