Numărul de produs al producătorului:
SSM6J212FE,LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM6J212FE,LF-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventar:
12889356
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
XIAO
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM6J212FE,LF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
970 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
ES6
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Numărul de bază al produsului
SSM6J212
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SSM6J212FELFCT
SSM6J212FE(TE85LFTR-DG
SSM6J212FE(TE85LFTR
SSM6J212FELFDKRINACTIVE
SSM6J212FE(TE85LFDKR-DG
SSM6J212FE(TE85LFCT-DG
SSM6J212FE,LF(CA
SSM6J212FETE85LF
SSM6J212FE(TE85LFCT
SSM6J212FELFCTINACTIVE
SSM6J212FE(TE85L,F
SSM6J212FELFTR
SSM6J212FELFDKR
SSM6J212FELF
SSM6J212FELFTRINACTIVE
SSM6J212FE(TE85LFDKR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SK3566(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
TK60P03M1,RQ(S
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
TK20A25D,S5Q(M
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SIS
