Numărul de produs al producătorului:
SSM5H16TU,LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM5H16TU,LF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
Inventar:
3515 Piese Noi Originale În Stoc
12889779
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM5H16TU,LF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIII
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
133mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.9 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
123 pF @ 15 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
UFV
Pachet / Carcasă
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Numărul de bază al produsului
SSM5H16
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SSM5H16TULFCT
SSM5H16TU,LF(B
SSM5H16TULFDKR
SSM5H16TULFTR
SSM5H16TU,LF(T
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SK2231(TE16R1,NQ)
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
2SK2719(F)
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
SSM3J355R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F