Numărul de produs al producătorului:
SSM3K35MFV,L3F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM3K35MFV,L3F-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 180mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventar:
12890914
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM3K35MFV,L3F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9.5 pF @ 3 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150mW (Ta)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
VESM
Pachet / Carcasă
SOT-723
Numărul de bază al produsului
SSM3K35
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SSM3K35MFVL3F
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPN5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
TK10A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
TK4A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS
