Numărul de produs al producătorului:
SSM3J56ACT,L3F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM3J56ACT,L3F-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3
Inventar:
40754 Piese Noi Originale În Stoc
12889228
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM3J56ACT,L3F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
100 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
CST3
Pachet / Carcasă
SC-101, SOT-883
Numărul de bază al produsului
SSM3J56
Informații suplimentare
Alte nume
SSM3J56ACTL3FDKR
SSM3J56ACTL3FTR
SSM3J56ACTL3FCT
SSM3J56ACT,L3F(T
SSM3J56ACT,L3F(B
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM3K01T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
SSM3K56MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
TK80S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
