Numărul de produs al producătorului:
SSM3J35CT,L3F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM3J35CT,L3F-DG
Descriere:
MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Inventar:
6208 Piese Noi Originale În Stoc
12891513
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM3J35CT,L3F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
π-MOSVI
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
12.2 pF @ 3 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100mW (Ta)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
CST3
Pachet / Carcasă
SC-101, SOT-883
Numărul de bază al produsului
SSM3J35
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SSM3J35CT,L3F(T
SSM3J35CT,L3F(B
SSM3J35CTL3FCT
SSM3J35CTL3F(T
SSM3J35CTL3FDKR
SSM3J35CTL3FTR
SSM3J35CTL3F
SSM3J35CTL3F(B
SSM3J35CT,L3FTR
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
CEDM8001 TR PBFREE
PRODUCĂTOR
Central Semiconductor Corp
CANTITATE DISPONIBILĂ
7220
DiGi NUMĂR DE PARTE
CEDM8001 TR PBFREE-DG
PREȚ UNIC
0.14
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SK3565(Q,M)
MOSFET N-CH 900V 5A TO220SIS
TK4P55D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 550V 4A DPAK
TK50P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 50A DP
