Numărul de produs al producătorului:
SSM3J15FU,LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM3J15FU,LF-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Inventar:
3484 Piese Noi Originale În Stoc
12890803
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
d3Zm
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM3J15FU,LF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
π-MOSVI
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.7V @ 100µA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9.1 pF @ 3 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
USM
Pachet / Carcasă
SC-70, SOT-323
Numărul de bază al produsului
SSM3J15
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SSM3J15FULFTR
SSM3J15FU,LF(T
SSM3J15FU,LF(B
SSM3J15FULFCT
SSM3J15FULFDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK12Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
TK10A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
