Numărul de produs al producătorului:
SSM3J133TU,LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM3J133TU,LF-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Inventar:
106343 Piese Noi Originale În Stoc
12890767
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM3J133TU,LF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
840 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
UFM
Pachet / Carcasă
3-SMD, Flat Leads
Numărul de bază al produsului
SSM3J133
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SSM3J133TULFCT
SSM3J133TU,LF(B
SSM3J133TULFDKR
SSM3J133TU,LF(T
SSM3J133TULFTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK16E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
TK39J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
