Numărul de produs al producătorului:
RN4990FE,LF(CT
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN4990FE,LF(CT-DG
Descriere:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
12891092
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN4990FE,LF(CT Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
-
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
250MHz, 200MHz
Putere - Max
100mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
ES6
Numărul de bază al produsului
RN4990
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN4990FELF(CBDKR-DG
RN4990FE(T5LFT)DKR
RN4990FELF(CTCT
RN4990FELF(CTDKR
RN4990FELF(CBTR
RN4990FE(T5LFT)TR-DG
RN4990FELF(CBCT-DG
RN4990FE(T5LFT)TR
RN4990FE,LF(CB
RN4990FELF(CBTR-DG
RN4990FE(T5LFT)DKR-DG
RN4990FE(T5L,F,T)
RN4990FELF(CBDKR
RN4990FE(T5LFT)CT-DG
RN4990FELF(CBCT
RN4990FELF(CTTR
RN4990FE(T5LFT)CT
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2507(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN4983,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1911FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6