Numărul de produs al producătorului:
RN4989FE,LF(CT
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN4989FE,LF(CT-DG
Descriere:
NPN + PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER2
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
4000 Piese Noi Originale În Stoc
12889205
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN4989FE,LF(CT Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
47kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
22kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
250MHz, 200MHz
Putere - Max
100mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
ES6
Numărul de bază al produsului
RN4989
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN4989FELF(CTCT
RN4989FELF(CTTR
RN4989FE,LF(CB
RN4989FELF(CTDKR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2911(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4910(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4904FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
