Numărul de produs al producătorului:
RN2911,LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN2911,LF-DG
Descriere:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
12891422
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN2911,LF Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
10kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
-
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
200MHz
Putere - Max
200mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
US6
Numărul de bază al produsului
RN2911
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN2911LF(CTTR-DG
RN2911LF(CTDKR-DG
RN2911LF(CTTR
RN2911LFTR
RN2911LF(CTCT-DG
RN2911LF(CTDKR
RN2911,LF(CB
RN2911LF(CTCT
RN2911,LF(CT
RN2911LFCT
RN2911LFDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2904,LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1964FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN49A2,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
