Numărul de produs al producătorului:
RN2910,LF(CT
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN2910,LF(CT-DG
Descriere:
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SMQ
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
12889396
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN2910,LF(CT Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
-
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
200MHz
Putere - Max
200mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-61AA
Pachet dispozitiv furnizor
SMQ
Numărul de bază al produsului
RN2910
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN2910,LF(CB
RN2910LF(CTDKR
RN2910LF(CTCT
RN2910LF(CTTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN1965(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2607(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2962(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6