Numărul de produs al producătorului:
RN2710JE(TE85L,F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN2710JE(TE85L,F)-DG
Descriere:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventar:
3611 Piese Noi Originale În Stoc
12891815
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN2710JE(TE85L,F) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
-
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
200MHz
Putere - Max
100mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-553
Pachet dispozitiv furnizor
ESV
Numărul de bază al produsului
RN2710
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN2710JE(TE85LF)DKR
RN2710JE(TE85LF)CT
RN2710JE(TE85LF)TR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN1906(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4905FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
DCX144EK-7-F
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
