RN2708JE(TE85L,F)
Numărul de produs al producătorului:

RN2708JE(TE85L,F)

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN2708JE(TE85L,F)-DG

Descriere:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV

Inventar:

2990 Piese Noi Originale În Stoc
12890327
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN2708JE(TE85L,F) Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
22kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
200MHz
Putere - Max
100mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-553
Pachet dispozitiv furnizor
ESV
Numărul de bază al produsului
RN2708

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
RN2708JE(TE85LF)CT
RN2708JE(TE85LF)DKR
RN2708JE(TE85LF)TR
Pachet standard
4,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2904FE,LF

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1710,LF

NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2909(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4902FE(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6