Numărul de produs al producătorului:
RN2706,LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN2706,LF-DG
Descriere:
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
Inventar:
4996 Piese Noi Originale În Stoc
12891064
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN2706,LF Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
200MHz
Putere - Max
200mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Pachet dispozitiv furnizor
USV
Numărul de bază al produsului
RN2706
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN2706LFCT
RN2706,LF(B
RN2706LFTR
RN2706LFDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN1963(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4906,LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1902FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6