Numărul de produs al producătorului:
RN2608(TE85L,F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN2608(TE85L,F)-DG
Descriere:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventar:
12889697
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN2608(TE85L,F) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
22kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
200MHz
Putere - Max
300mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-74, SOT-457
Pachet dispozitiv furnizor
SM6
Numărul de bază al produsului
RN2608
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN2608(TE85LF)TR
RN2608(TE85LF)DKR
RN2608(TE85LF)CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN1903,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2906FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2901(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6