Numărul de produs al producătorului:
RN2605(TE85L,F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN2605(TE85L,F)-DG
Descriere:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventar:
12 Piese Noi Originale În Stoc
12890610
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN2605(TE85L,F) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
2.2kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
200MHz
Putere - Max
300mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-74, SOT-457
Pachet dispozitiv furnizor
SM6
Numărul de bază al produsului
RN2605
Informații suplimentare
Alte nume
RN2605(TE85LF)TR
RN2605(TE85LF)CT
RN2605(TE85LF)DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IMB10AT110
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
5988
DiGi NUMĂR DE PARTE
IMB10AT110-DG
PREȚ UNIC
0.08
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2701,LF
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
RN1907,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4986FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
