Numărul de produs al producătorului:
RN2422TE85LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN2422TE85LF-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 800 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventar:
4309 Piese Noi Originale În Stoc
12891167
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN2422TE85LF Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
PNP - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
800 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
2.2 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
2.2 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
65 @ 100mA, 1V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 50mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
200 MHz
Putere - Max
200 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pachet dispozitiv furnizor
S-Mini
Numărul de bază al produsului
RN2422
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN2422(TE85L,F)
RN2422TE85LF-DG
264-RN2422TE85LFCT
264-RN2422TE85LFTR
264-RN2422TE85LFDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN1306,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1110MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2104ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
