RN2309,LF
Numărul de produs al producătorului:

RN2309,LF

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN2309,LF-DG

Descriere:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Inventar:

6000 Piese Noi Originale În Stoc
13275875
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN2309,LF Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
PNP - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
47 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
22 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
200 MHz
Putere - Max
100 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-70, SOT-323
Pachet dispozitiv furnizor
SC-70
Numărul de bază al produsului
RN2309

Fișa de date și documente

Informații suplimentare

Alte nume
RN2309,LF(B
264-RN2309LFDKR
264-RN2309LFCT
264-RN2309LFTR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1411,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2117(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1413,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2105MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM