Numărul de produs al producătorului:
RN2106,LF(CT
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN2106,LF(CT-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
12891000
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN2106,LF(CT Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
PNP - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
4.7 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
200 MHz
Putere - Max
100 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-75, SOT-416
Pachet dispozitiv furnizor
SSM
Numărul de bază al produsului
RN2106
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN2106,LF(CB
RN2106LF(CTDKR
RN2106LF(CTCT
RN2106LF(CTTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2310,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN1403,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1101MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM