Numărul de produs al producătorului:
RN1973(TE85L,F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1973(TE85L,F)-DG
Descriere:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200mW Surface Mount US6
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
12889872
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
XYVS
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1973(TE85L,F) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
47kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
-
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
-
Putere - Max
200mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
US6
Numărul de bază al produsului
RN1973
Informații suplimentare
Alte nume
RN1973(TE85LF)CT
RN1973(TE85LF)DKR
RN1973(TE85LF)TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2963(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4908,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4
RN2969(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
