Numărul de produs al producătorului:
RN1903FE,LF(CT
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1903FE,LF(CT-DG
Descriere:
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
12889265
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1903FE,LF(CT Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
22kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
22kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
250MHz
Putere - Max
100mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
ES6
Numărul de bază al produsului
RN1903
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN1903FELF(CTCT
RN1903FE,LF(CB
RN1903FELF(CTDKR
RN1903FELF(CTTR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PEMH1,115
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4000
DiGi NUMĂR DE PARTE
PEMH1,115-DG
PREȚ UNIC
0.07
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN4907FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2967FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2604(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6