Numărul de produs al producătorului:
RN1709,LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1709,LF-DG
Descriere:
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
12891333
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
6XPi
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1709,LF Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
47kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
22kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
250MHz
Putere - Max
200mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Pachet dispozitiv furnizor
USV
Numărul de bază al produsului
RN1709
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN1709LFCT
RN1709LFTR
RN1709LFDKR
RN1709,LF(B
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN1962FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1503(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1704,LF
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
