Numărul de produs al producătorului:
RN1131MFV(TL3,T)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1131MFV(TL3,T)-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
12889320
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1131MFV(TL3,T) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Cut Tape (CT)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
100 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Putere - Max
150 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-723
Pachet dispozitiv furnizor
VESM
Numărul de bază al produsului
RN1131
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN1131MFVTL3T
RN1131MFV(TL3T)DKR
RN1131MFV(TL3T)CT
RN1131MFV(TL3T)TR
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DTC115TM3T5G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DTC115TM3T5G-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN1110(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1112ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN2103(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM