RN1114(T5L,F,T)
Numărul de produs al producătorului:

RN1114(T5L,F,T)

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN1114(T5L,F,T)-DG

Descriere:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Inventar:

12889196
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN1114(T5L,F,T) Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
1 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
10 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
250 MHz
Putere - Max
100 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-75, SOT-416
Pachet dispozitiv furnizor
SSM
Numărul de bază al produsului
RN1114

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
RN1114T5LFT
RN1114(T5LFT)TR
RN1114(T5LFT)CT
RN1114(T5LFT)DKR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1416,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1102MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

diodes

DDTC123JE-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2303,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70