MT3S111TU,LF
Numărul de produs al producătorului:

MT3S111TU,LF

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

MT3S111TU,LF-DG

Descriere:

RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Descriere detaliată:
RF Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Surface Mount UFM

Inventar:

3000 Piese Noi Originale În Stoc
12889337
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

MT3S111TU,LF Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Tranzistori RF bipolari
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
6V
Frecvență - Tranziție
10GHz
Figura de zgomot (dB Typ @ f)
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Câștig
12.5dB
Putere - Max
800mW
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
3-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
UFM
Numărul de bază al produsului
MT3S111

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
MT3S111TULFDKR
MT3S111TU,LF(T
MT3S111TU,LF(B
MT3S111TULFCT
MT3S111TULFTR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

BFQ31ATC

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC5065-O(TE85L,F)

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

toshiba-semiconductor-and-storage

MT3S111(TE85L,F)

RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

MT3S113P(TE12L,F)

RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI