HN4C51J(TE85L,F)
Numărul de produs al producătorului:

HN4C51J(TE85L,F)

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

HN4C51J(TE85L,F)-DG

Descriere:

TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Base 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV

Inventar:

6983 Piese Noi Originale În Stoc
12891919
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

HN4C51J(TE85L,F) Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Transistoare Bipolare
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 NPN (Dual) Common Base
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
120V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Putere - Max
300mW
Frecvență - Tranziție
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-74A, SOT-753
Pachet dispozitiv furnizor
SMV
Numărul de bază al produsului
HN4C51

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
HN4C51J (TE85LF)
HN4C51JTE85LF
HN4C51J(TE85LF)DKR
HN4C51J(TE85LF)CT
HN4C51J (TE85L,F)
HN4C51J(TE85LF)TR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMMT3904WQ-7-F

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363

nexperia

BCM847BS/ZLF

TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP

diodes

IMT4-7-F

TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26

diodes

DST857BDJ-7

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963