Numărul de produs al producătorului:
HN4A51JTE85LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
HN4A51JTE85LF-DG
Descriere:
TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Inventar:
6119 Piese Noi Originale În Stoc
12889130
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
HN4A51JTE85LF Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Transistoare Bipolare
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 PNP (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
120V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Putere - Max
300mW
Frecvență - Tranziție
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-74A, SOT-753
Pachet dispozitiv furnizor
SMV
Numărul de bază al produsului
HN4A51
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
HN4A51J (TE85L,F)
HN4A51J(TE85L,F)
HN4A51JTE85LFDKR
HN4A51JTE85LFCT
HN4A51JTE85LFTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
HN1C01FU-Y,LF
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
HN3C51F-GR(TE85L,F
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
HN1C01FU-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6