2SK4017(Q)
Numărul de produs al producătorului:

2SK4017(Q)

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

2SK4017(Q)-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Tc) Through Hole PW-MOLD2

Inventar:

12891613
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

2SK4017(Q) Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
U-MOSIII
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
20W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PW-MOLD2
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numărul de bază al produsului
2SK4017

Informații suplimentare

Alte nume
2SK4017(Q)-DG
Q11923257
2SK4017Q
Pachet standard
200

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
1594
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK8S06K3L(T6L1,NQ)-DG
PREȚ UNIC
0.42
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK25S06N1L,LQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
1488
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK25S06N1L,LQ-DG
PREȚ UNIC
0.35
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMN3026LVTQ-7

MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

diodes

DMN3016LFDF-7

MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN

diodes

DMN30H4D0LFDE-7

MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN

diodes

DMN2009USS-13

MOSFET N-CH 20V 8SOIC