Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
2SK2866(F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
2SK2866(F)-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 10A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
RFQ Online
12891383
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SK2866(F) Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2040 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
2SK2866
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFB9N60APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
2220
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB9N60APBF-DG
PREȚ UNIC
1.22
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP10NK60Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
905
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP10NK60Z-DG
PREȚ UNIC
1.46
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP11NM60ND
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP11NM60ND-DG
PREȚ UNIC
1.81
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FQPF10N60C
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
5
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQPF10N60C-DG
PREȚ UNIC
1.07
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP9NK60Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
35
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP9NK60Z-DG
PREȚ UNIC
1.10
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM3K17SU,LF
MOSFET N-CH 50V 100MA USM
TK7A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
TK7A45DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 6.5A TO220SIS
2SJ438,Q(J
MOSFET P-CH TO220NIS